| 主权项 |
1913151.一种SMD电阻器,包括设有两主面,两侧面和两端面之陶瓷基体,进一步包括有两接触层施加于与端面相邻之主面两端上,施加于主面上之电阻层且依电阻与两接触层相接触,两端接点覆盖基体端面且与接触层相电接触,其特点乃是其端面系为粒间断面。2.根据申请专利范围第1项之SMD电阻器,其中陶瓷基体系为氧化铝基体包括有SiO2和MO,其中M代表钙,锶及/或钯,且其SiO2/MO克分子比为1与4间之范围。3.根据申请专利范围第2项之SMD电阻器,其中基体之第二物态内涵系为6至10克分子百分比范围。4.一种制造SMD电阻器之方法,依此方法,其接触层和电阻层皆施加于陶瓷基板上,此板设有第一批平行断面沟纹和第二批平行断面构纹,大体上相互垂直伸展,其后此基板循沿第一批断面沟纹分开而产生杆条,在分开作业中所构成断面上设有端接点,于是杆条循沿第二批断面沟纹分开而产生个别SMD电阻器,其特点为于使基板分开为杆条之制程中形成粒间断面。5.根据申请专利范围第4项之方法,其中所使用之陶瓷氧化铝基板中,包括SiO2和MO,其中M代表钙,锶及/或钯,且SiO2/MO克分子比系在1与4之间范围。6.根据申请专利范围第5项之方法,其中该板之第二物态内涵系为6至10克分子%之范围。 |
