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发明名称 Verfahren zum Herstellen von stabförmigen Halbleiterkristallen mit sehr hoher Reinheit
摘要
申请公布号 CH441239(A) 申请公布日期 1967.08.15
申请号 CH19600010165 申请日期 1960.09.08
申请人 SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT 发明人 DR. GRABMAIER,JOSEF,DIPL.-PHYS.
分类号 C01B33/035;C23C8/00;C30B9/14;C30B25/02;C30B25/08;C30B25/14;C30B35/00;G05D23/27;H01L21/18;H01L21/205 主分类号 C01B33/035
代理机构 代理人
主权项
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