| 发明名称 |
DISPOSITIFS A SEMICONDUCTEURS ISOLES PAR DES REGIONS DE SIO2 ENCASTREES ET PROCEDE DE FABRICATION DESDITS DISPOSITIFS |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
FR2333349(A1) |
申请公布日期 |
1977.06.24 |
| 申请号 |
FR19760029973 |
申请日期 |
1976.09.30 |
| 申请人 |
IBM |
发明人 |
JOSEPH A. ABOAF, ROBERT W. BROADIE ET WILLIAM A. PLISKIN |
| 分类号 |
H01L21/76;H01L21/3105;H01L21/316;H01L21/331;H01L21/762;H01L29/73;(IPC1-7):01L21/76 |
主分类号 |
H01L21/76 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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