半导体制造装置

摘要

一种半导体制造装置，备有：可形成为高度真空之真空室、配设于该真空室内之基板支持用之基板支持具、反应气体供给手段及基板之加热手段；其特征乃在于上述之真空室内设置由底面部、自该底面部之外周缘部竖立之周壁及将由此周壁包围之反应空间开闭自如地覆盖之顶板构成之一反应室，并于上述反应室之顶板设置可将基板接触状地保持于上述反应空间之一保持部，同时于反应室之底面部设置可对保持于上述保持部之基板喷吹反应气体之一反应气体供给手段，及于反应室之周壁或此周壁与顶板之间设置一反应气体排出道，且于上述反应室之顶板上方定位配设一加热手段者。

主权项

一种半导体制造装置,系由:将全体构造作成一种在真空室内设有反应室之双重壳体构造,在该反应室之顶部设置可供安装表面朝下状态之基板之基板支持部,并在该反应室之顶部上侧不仅配设基板且配设一可将反应室全体加热使反应室之壁面变成热壁之面状加热器,且在该反应室之底面几何学的配设复数个之Ⅲ族有机金属化合物气体之吐出口,同时在该Ⅲ族有机金属化合物气体之吐出口群之中心配置Ⅴ族化合物气体之吐出口部,并将上述Ⅲ族有机金属化合物气体之吐出口及基板之距离设计得比在上述反应室之真空度下之上述Ⅲ族有机金属化合物气体之分子之平均自由行程为短,同时于该反应室之周壁面设置废气排出