Verfahren zur Herstellung eines selbstausrichtenden Dünnschichttransistors.,申请号DE19883886684-传众专利搜索

发明名称	Verfahren zur Herstellung eines selbstausrichtenden Dünnschichttransistors.
摘要
申请公布号	DE3886684(D1)	申请公布日期	1994.02.10
申请号	DE19883886684	申请日期	1988.10.13
申请人	INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORP., ARMONK, N.Y., US	发明人	HINSBERG, WILLIAM DINAN III, FREMONT, CA 94539, US;HOWARD, WEBSTER EUGENE, YORKTOWN HEIGHTS, NY 10598, US;WILLSON, CARLTON GRANT, SAN JOSE, CA 95126, US
分类号	H01L21/027;H01L21/30;H01L21/336;H01L27/12;H01L29/423;H01L29/49;H01L29/78;H01L29/786;(IPC1-7):H01L21/84	主分类号	H01L21/027
代理机构		代理人
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