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<p>On décrit un traducteur de niveau ECL à CMOS (logique à liaison par les émetteurs à semiconducteur à oxyde métallique complémentaire) et un tampon BiCMOS (semiconducteur bipolaire/à oxyde métallique complémentaire). Le courant fourni depuis le premier transistor d'entrée PMOS (P1) est le courant d'entrée d'un miroir de courant qui comprend un premier et un deuxième transistor NMOS (N1 et N2). Le miroir de courant commande la capacité de source et d'absorption de courant du transistor. Un troisième et un quatrième transistor NMOS (N3 et N4) sont couplés au premier et au deuxième transistor NMOS dans le miroir de courant et font varier la tension source-à-substrat des deux premiers transistors NMOS et donc leur gain, ce qui entraîne une capacité accrue en matière de commande en courant et d'absorption de courant. Le tampon différentiel BiCMOS inventé fournit un signal de sortie différentiel au premier et au deuxième n÷uds de sortie (115 et 215). Il comprend un premier et un deuxième tampons couplés transversalement (100B et 200B). Le couplage transversal des tampons donne des durées de transition améliorées entre les tensions élevées et faibles.</p> |
