发明名称 | 半导体集成电路中的写入信号输入缓冲器 | ||
摘要 | 一种半导体存储装置的诸多输入缓冲器中的一种写入信号输入缓冲器,供接收芯片外部提供的写入启动信号。本发明提供的写入信号输入缓冲器包括:一个输入级,供接收芯片外部提供的写入启动信号;一个逻辑装置,用以根据输入级的输出信号产生作为相应信号的写入驱动信号;和一个锁存部分供锁存逻辑装置的输出信号;此外本发明的缓冲器还包括由数据输出级的驱动信号在其锁存通路上控制的开关装置。 | ||
申请公布号 | CN1041136C | 申请公布日期 | 1998.12.09 |
申请号 | CN94103892.0 | 申请日期 | 1994.04.08 |
申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 崔勋 |
分类号 | G11C7/00;H01L27/00 | 主分类号 | G11C7/00 |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 马铁良;曹济洪 |
主权项 | 1.半导体集成电路中的一种写入信号输入缓冲器,至少包括:一个输入级,用以接收芯片外部提供的写入启动;一个逻辑装置,用以根据所述输入级的输出信号产生写入驱动信号;其特征在于:一个锁存部分,用以锁存所述逻辑装置的输出信号,且在其锁存通路上有一个开关装置。 | ||
地址 | 韩国京畿道 |