| 摘要 |
Фоточувствительный элемент фоторезистора на основе монокристалла CdHgTe, включающий слой CdHgTe со слоем анодного окисла на одной стороне, приклеенный к подложке этой стороной с помощью клея, выступающего из-под слоя CdHgTe, для получения плавных переходов от фоточувствительной площадки к подложке, и контактами, содержащими проводящие покрытие, плавно соединяющее фоточувствительную площадку с подложкой, отличающийся тем, что на поверхность фоточувствительной площадки и под проводящим покрытием в областях плавных переходов от фоточувствительной площадки к подложке нанесено защитное покрытие AlOтолщиной 1100 - 1300проводящее покрытие контактов выполнено из Ti-Au-Ni, и на его поверхности в областях плавных переходов от фоточувствительной площадки к подложке размещены индиевые перемычки. |
