| 发明名称 |
Verfahren zur Übertragung einer Halbleiterschicht mittels Silizium-auf-Isolator (SOI) Technologie |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE69710031(T2) |
申请公布日期 |
2002.07.18 |
| 申请号 |
DE19976010031T |
申请日期 |
1997.11.14 |
| 申请人 |
CANON K.K., TOKIO/TOKYO |
发明人 |
SAKAGUCHI, KIYOFUMI;YONEHARA, TAKAO |
| 分类号 |
H01L21/304;H01L21/322;H01L21/762;(IPC1-7):H01L21/20 |
主分类号 |
H01L21/304 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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