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发明名称
具电荷捕捉记忆胞元半导体及其制造方法
摘要
一种具有电荷捕捉记忆胞元的半导体记忆体,其中该记忆电晶体每个通道区域的电流方向,对于该有关的字线为横向地前进,该位元线配置在该字线的顶部侧上且以一电绝缘的方式所绝缘,并且具有源极–汲极区域的电传导局部互连,其配置于该字线间的间隙中的断面,而以一电绝缘的方式所绝缘,并与该位元线连接,而复数闸极则配置于至少部分形成于该记忆体基板中的沟槽中。
申请公布号
TW200631168
申请公布日期
2006.09.01
申请号
TW095105164
申请日期
2006.02.15
申请人
英飞凌科技股份有限公司
发明人
约瑟夫 维勒尔;托玛斯 米寇拉吉克;克里斯多夫 路德维希;诺尔贝特 舒尔策;卡尔 海因茨 屈斯特尔斯
分类号
H01L27/115;H01L21/8247
主分类号
H01L27/115
代理机构
代理人
蔡清福
主权项
地址
德国
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