发明名称 具电荷捕捉记忆胞元半导体及其制造方法
摘要 一种具有电荷捕捉记忆胞元的半导体记忆体,其中该记忆电晶体每个通道区域的电流方向,对于该有关的字线为横向地前进,该位元线配置在该字线的顶部侧上且以一电绝缘的方式所绝缘,并且具有源极–汲极区域的电传导局部互连,其配置于该字线间的间隙中的断面,而以一电绝缘的方式所绝缘,并与该位元线连接,而复数闸极则配置于至少部分形成于该记忆体基板中的沟槽中。
申请公布号 TW200631168 申请公布日期 2006.09.01
申请号 TW095105164 申请日期 2006.02.15
申请人 英飞凌科技股份有限公司 发明人 约瑟夫 维勒尔;托玛斯 米寇拉吉克;克里斯多夫 路德维希;诺尔贝特 舒尔策;卡尔 海因茨 屈斯特尔斯
分类号 H01L27/115;H01L21/8247 主分类号 H01L27/115
代理机构 代理人 蔡清福
主权项
地址 德国