突波吸收器改良结构

摘要

一种突波吸收器改良结构，包含有一陶瓷晶体及数导电体，该陶瓷晶体包括有一本体，及两涂覆于本体两侧面之电极层，而导电体一端系呈线性焊接于所述陶瓷晶体外侧面，且导电体另一端系耦接一端子，并藉由导电体呈线性焊接于陶瓷晶体外侧面，使本创作具有不易损坏及增加可靠性之优点。

主权项

1.一种突波吸收器改良结构,包含有一陶瓷晶体及 数导电体,其中: 该导电体,一端系呈线性焊接于陶瓷晶体外侧面。 2.如申请专利范围第1项所述之突波吸收器改良结 构,其中,导电体系为一铜线。 3.如申请专利范围第1项所述之突波吸收器改良结 构,其中,导电体系为一编织导线。 4.如申请专利范围第1项所述之突波吸收器改良结 构,其中,导电体一端系呈涡卷状焊接于陶瓷晶体 外侧面。 5.如申请专利范围第1项所述之突波吸收器改良结 构,其中,导电体一端系呈直线放射状焊接于陶瓷 晶体外侧面。 图式简单说明: 第一图所示系习知突波吸收器之外观立体图; 第二图所示系本创作之外观平面图; 第三图所示系本创作之导电体焊接于本体之电极 层的动作示意图; 第四图所示系本创作之另一导电体焊接于本体之 电极层的示意图;以及 第五图所示系本创作涂覆环氧树脂及罩设外壳之 剖面视图。