| 主权项 |
1.一种下记式(1)、(2)、(3)或(4)所示之胺化合物, (式中,R1为碳数1至4之直链状或支链状伸烷基;R2为 氢原子、或为碳数1至10之直链状、支链状或环状 烷基,其可含有羟基、醚基、羰基、酯基、内酯环 、碳酸酯或氰基;R3为碳数2至20之直链状或支链状 伸烷基,其可含有羟基、醚基、硫醚基或羰基;R4为 碳数1至4之直链状或支链状伸烷基;a为1至3之整数, 且a+b=3)。 2.如申请专利范围第1项之胺化合物,其中,式(1)与 式(3)中之R2为下记式(5)、(6)、(7)或(8)所示者, (式中,R5、R7、R10为碳数1至4之直链状或支链状伸 烷基;R6、R9为氢原子、或为碳数1至10之直链状、 支链状或环状烷基,其可含有羟基、醚基、酯基、 内酯环或氰基;R5与R6可键结并与其键结之氧原子 共同形成环;R8为单键或为碳数1至4之直链状或支 链状伸烷基,R11为碳数1至10之直链状、支链状或环 状烷基,其可含有羟基、醚基、酯基、内酯环;R12 为碳数1至4之直链状或支链状之(n+1)价之有机基;R 13为为相同或不同之碳数1至10之直链状、支链状 或环状烷基,其可含有醚基、酯基、羟基、内酯环 、氰基或羰基;又,R12与R13、或2个R13可相互键结并 与其键结之氧原子,或氧原子与R12的碳原子共同形 成环;n为2、3或4)。 3.一种光阻材料,其特征为,含有1种或2种以上下记 式(1)、(2)、(3)或(4)所示之硷性化合物, (式中,R1为碳数1至4之直链状或支链状伸烷基;R2为 氢原子、或为碳数1至10之直链状、支链状或环状 烷基,其可含有羟基、醚基、羰基、酯基、内酯环 、碳酸酯或氰基;R3为碳数2至20之直链状或支链状 伸烷基,其可含有羟基、醚基、硫醚基或羰基;R4为 碳数1至4之直链状或支链状伸烷基;a为1至3之整数, 且a+b=3)。 4.如申请专利范围第3项之光阻材料,其中,R2为下记 式(5)、(6)、(7)或(8)所示之基, (式中,R5、R7、R10为碳数1至4之直链状或支链状伸 烷基;R6、R9为氢原子、或为碳数1至10之直链状、 支链状或环状烷基,其可含有羟基、醚基、酯基、 内酯环或氰基;R5与R6可键结并与其键结之氧原子 共同形成环;R8为单键或为碳数1至4之直链状或支 链状伸烷基,R11为碳数1至10之直链状、支链状或环 状烷基,其可含有羟基、醚基、酯基、内酯环;R12 为碳数1至4之直链状或支链状之(n+1)价之有机基;R 13为为相同或不同之碳数1至10之直链状、支链状 或环状烷基,其可含有醚基、酯基、羟基、内酯环 、氰基或羰基;又,R12与R13、或2个R13可相互键结并 与其键结之氧原子,或氧原子与R12的碳原子共同形 成环;n为2、3或4)。 5.一种正型光阻材料,其系含有 (A)申请专利范围第1或2项之胺化合物, (B)有机溶剂, (C)具有受酸不稳定基保护之酸性官能基的硷不溶 性或难溶性树脂,且该酸不稳定基脱离时可形成硷 可溶性之基础树脂, (D)酸产生剂。 6.如申请专利范围第5项之光阻材料,其尚含有(E)溶 解阻碍剂。 7.一种负型光阻材料,其系含有 (A)申请专利范围第3或4项之光阻材料, (B)有机溶剂, (C)硷可溶性树脂,惟其为可受交联剂交联形成硷难 溶性之基础树脂, (D)酸产生剂, (F)可因酸产生交联之交联剂。 8.一种图案形成方法,其系包含 (1)将申请专利范围第3至7项中任一项之光阻材料 涂布于基板之步骤, (2)随后经加热处理后,介由光罩以波长300nm以下之 高能量线或电子线进行曝光之步骤, (3)必要时,可于加热处理后,使用显像液进行显像 之步骤。 |
