发明名称 METHODS OF FORMING PARALLEL WIRES OF DIFFERENT METAL MATERIALS THROUGH DOUBLE PATTENRNING AND FILL TECHNIQUES
摘要 표면을 포함하는 제1 유전체 층, 유전체 층 표면 내에 정의된 복수의 제1 트렌치, 및 복수의 제1 배선을 포함하고, 제1 배선들 각각은 제1 트렌치들 각각 내에 형성되는 집적 회로 및 집적 회로를 형성하는 방법이 개시된다. 집적 회로는 또한 유전체 층 표면 내에 정의된 복수의 제2 트렌치, 및 복수의 제2 배선을 포함하고, 제2 배선들 각각은 제2 트렌치들 각각 내에 형성된다. 또한, 제1 배선은 제1 벌크 비저항을 갖는 제1 재료를 포함하고 제2 배선들은 제2 벌크 비저항을 갖는 제2 재료를 포함하고, 제1 벌크 비저항과 제2 벌크 비저항은 서로 다르다.
申请公布号 KR20160063314(A) 申请公布日期 2016.06.03
申请号 KR20167003573 申请日期 2014.09.25
申请人 INTEL CORPORATION 发明人 CLARKE JAMES S.;SCHMITZ ANTHONY C.;SCHENKER RICHARD E.
分类号 H01L21/768;H01L23/48;H01L23/532 主分类号 H01L21/768
代理机构 代理人
主权项
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