| 发明名称 |
TECHNOLOGIES FOR SELECTIVELY ETCHING OXIDE AND NITRIDE MATERIALS AND PRODUCTS FORMED USING THE SAME |
| 摘要 |
워크 피스 상의 산화물 및 질화물 재료들을 선택적으로 에칭하는 기술들이 설명된다. 이러한 기술들은 플라즈마 가스 흐름을 점화시킴으로써 발생된 원격 플라즈마로 워크 피스를 에칭하는 방법들을 포함한다. 플라즈마 가스 흐름의 다양한 성분들의 유량을 제어함으로써, 원하는 에칭 특성들을 나타내는 플라즈마들이 획득될 수 있다. 이러한 플라즈마들은 비평면 마이크로일렉트로닉 디바이스들의 제조 시에 사용될 수 있는 리세스 에칭 동작들과 같은, 단일 또는 다단계 에칭 동작들에서 사용될 수 있다. |
| 申请公布号 |
KR20160102163(A) |
申请公布日期 |
2016.08.29 |
| 申请号 |
KR20167013776 |
申请日期 |
2013.12.27 |
| 申请人 |
INTEL CORPORATION |
发明人 |
FARMER JASON A.;TRICHY GOPINATH;SANDFORD JUSTIN;BERGSTROM DANIEL B. |
| 分类号 |
H01L21/311;H01L21/02;H01L21/3065;H01L21/3213;H01L21/324;H05H1/46 |
主分类号 |
H01L21/311 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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