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发明名称 Verfahren zum Herstellen von Teilchendetektoren aus Halbleiter mit NIP-Struktur ohne tote Zone und danach hergestellte Detektoren
摘要
申请公布号 DE2131755(A1) 申请公布日期 1972.01.20
申请号 DE19712131755 申请日期 1971.06.25
申请人 COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE 发明人 GEB.BONNET,ARLETTE GARIN;ORIA,MICHEL;WAAST,BERNARD
分类号 H01L21/00;H01L31/117 主分类号 H01L21/00
代理机构 代理人
主权项
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