使用一牺牲掺杂介电层之薄膜二极体结构

摘要

本发明揭露一制造一薄膜晶性半导体3层二极体结构于一外异支撑基材或覆材上之方法、及一位于一外异支撑基材或覆材上之薄膜晶性半导体3层二极体结构。一含有n或p-型掺杂物原子之牺牲介电覆层系沉积在基材或覆材上所形成之一2层半导体结构的一经曝露非晶性轻度掺杂或未掺杂半导体层上。非晶性轻度掺杂或未掺杂半导体层系被结晶化。藉由将n或p-型原子从牺牲介电覆层扩散至经结晶轻度掺杂或未掺杂半导体层的一部分内来形成一重度掺杂半导体层,其中因此形成3层二极体结构。牺牲介电覆层自3层二极体结构被移除。