首页 产品 黄页 商标 征信
会员服务 注册 登录 
全部
 |
企业名
 |
法人/股东/高管
 |
品牌/产品
 |
地址
 |
经营范围
发明名称 Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung mit durch Implantation mit einer Kohlenstoff-Halogenverbindung erhaltenem Heteroübergang
摘要
申请公布号 DE69316677(T2) 申请公布日期 1998.07.30
申请号 DE19936016677T 申请日期 1993.07.20
申请人 PHILIPS ELECTRONICS N.V., EINDHOVEN, NL 发明人 OOSTRA, DOEKE JOLT, C/O INT. OCTROOIBUREAU B.V., NL-5656 AA EINDHOVEN, NL;OTTENHEIM, JOZEF J.M., C/O INT. OCTROOIBUREAU B.V., NL-5656 AA EINDHOVEN, NL;POLITIEK, JARIG, C/O INT. OCTROOIBUREAU B.V., NL-5656 AA EINDHOVEN, NL
分类号 H01L21/265;H01L21/331;H01L29/737;(IPC1-7):H01L21/265;H01L29/73;H01L29/732 主分类号 H01L21/265
代理机构 代理人
主权项
地址
您可能感兴趣的专利
©  2024 传众  czvv.com