| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Vergießen einer Schmelze bei verhältnismäßig geringer Erstarrungsgeschwindigkeit, wie insbesondere Schwerkraftkokillengießverfahren, Sandgießverfahren, Niederdruckgießverfahren oder Zwischenformen dieser Verfahren, wobei die Schmelze Phasen, wie Vorausscheidungen von Kristallen oder Partikeln oder Kurzfasern, mit niedrigerer elektrischer Leitfähigkeit als das Metall der Restschmelze aufweist; um verschleissfeste Oberflächenbereiche zu erhalten, wird erfindungsgemäß vorgeschlagen, dass die Schmelze unter zumindest lokaler Einwirkung eines elektromagnetischen Wechselfeldes zur Erstarrung gebracht wird, dass dabei das elektromagnetische Wechselfeld in einen Oberflächenbereich einer von der Frequenz des Wechselfelds und der Leitfähigkeit der Schmelze abhängigen Eindringtiefe eindringt und dadurch eine Anreicherung der weniger leitfähigen Phasen an diesen Oberflächenbereichen des Gußstücks erreicht wird.</p> |
