发明名称 薄膜电晶体用之黏着层
摘要 一种于绝缘体上制造一层多晶–或微晶矽层之方法,其包括一含矽绝缘层、成长一层由非晶型矽所构成之薄的黏着促进层于其上,并进一步成长一层多晶–或微晶矽层于该黏着促进层上。该等藉由PECVD方法所沉积之一序列层,显示多晶–或微晶矽于基板上的良好黏着性,并有利于如薄膜电晶体之半导体制造。
申请公布号 TW200630502 申请公布日期 2006.09.01
申请号 TW094126299 申请日期 2005.08.03
申请人 恩艾克西斯巴尔斯股份有限公司 发明人 海特伦夸克;杰罗米维雷特
分类号 C23C16/40;C23C16/24 主分类号 C23C16/40
代理机构 代理人 何金涂;林荣琳
主权项
地址 列支敦斯登大公国