| 摘要 |
本发明揭露一种用于自动地调整一种金属氧化物半导体(MOS)积体电路(IC)单元布局的方法,该方法包含下列对至少一该单元执行布林运算的方法:判定一主动(OD)层中一个或多个MOS电晶体主动区(OD)与一个或多个电源OD;在一预定方向,以一第一预定量延展该MOS电晶体OD;在该预定方向,以一第二预定量移动该动源OD;在该预定方向,以一第三预定量延展一个或多个MOS电晶体闸极区;在该预定方向,以近似该第二预定量移动一个或多个电源接点该电源OD;以及在该预定方向以一预定方法,延伸在一金属层中透过接点直接电性耦合该OD层的一个或多个金属区(M1s)。 |
