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发明名称 Verfahren zum Herstellen einkristalliner Schichten aus halbleitenden Stoffen durch thermische Zersetzung
摘要
申请公布号 AT246788(B) 申请公布日期 1966.05.10
申请号 AT19630003762 申请日期 1963.05.09
申请人 SIEMENS & HALSKE AKTIENGESELLSCHAFT 发明人
分类号 H01L 主分类号 H01L
代理机构 代理人
主权项
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