| 发明名称 |
Verfahren zum Herstellen einer halbleitenden Verbindung aus zwei oder mehreren Komponenten |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
CH441240(A) |
申请公布日期 |
1967.08.15 |
| 申请号 |
CH19610010354 |
申请日期 |
1961.09.06 |
| 申请人 |
SIEMENS-SCHUCKERTWERKE AKTIENGESELLSCHAFT |
发明人 |
DOETZER,RICHARD,DR. |
| 分类号 |
B22F9/30;C01B19/00;C01B25/06;C01G30/00;C22C1/00;C30B25/02;H01L21/00;(IPC1-7):B01J17/32 |
主分类号 |
B22F9/30 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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