具有A1InGaP主动层之发光二极体以及其制造方法LIGHT EMITTING DIODE HAVING AIINGAP ACTIVE LAYER AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

摘要

一种具有AlInGaP主动层的发光二极体以及其制造方法。此发光二极体包括基板。多个发光胞定位成彼此间隔,其中各发光胞具有第一导电类型的下半导体层、AlInGaP主动层以及第二导电类型的上半导体层。同时,半绝缘层介于基板和发光胞之间。此外,导线可串联连接该多个发光胞。因此,可以提供一种由AC电源驱动的发光二极体,其中多个发光胞藉由导线彼此串联连接。