PROCEDE DE FABRICATION D'AVIS D'ISOLEMENT ENTRE DES DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS ET DISPOSITIFS AINSI OBTENUS,申请号FR19780006167-传众专利搜索

发明名称	PROCEDE DE FABRICATION D'AVIS D'ISOLEMENT ENTRE DES DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS ET DISPOSITIFS AINSI OBTENUS
摘要	<P>L'INVENTION CONCERNE UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR.</P><P>SELON L'INVENTION, IL COMPREND UN SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR 11, UNE PELLICULE ISOLANTE 13 FORMEE A LA SURFACE DU SUBSTRAT, UNE COUCHE COMPOSEE ISOLANTE ET ENFOUIE 15 A UNE PROFONDEUR PREDETERMINEE DE L'AUTRE SURFACE 12 DU SUBSTRAT, LA COUCHE 15 ETANT FORMEE PAR IMPLANTATION D'IONS A TRAVERS LA SURFACE 12, ET DES ELEMENTS SEMI-CONDUCTEURS COMPRENANT UNE COUCHE DU SUBSTRAT ENTRE LA COUCHE COMPOSEE ISOLANTE ENFOUIE ET LA SURFACE 12, LA PELLICULE ISOLANTE 13 FORMEE A LA SURFACE DU SUBSTRAT AYANT UNE EPAISSEUR SUFFISANTE POUR COMPENSER LA CONTRAINTE INDUITE DANS LA COUCHE COMPOSEE ISOLANTE ENFOUIE.</P><P>L'INVENTION S'APPLIQUE NOTAMMENT A LA FABRICATION DE TRANSISTORS MOS OU BIPOLAIRES.</P>
申请公布号	FR2410364(A1)	申请公布日期	1979.06.22
申请号	FR19780006167	申请日期	1978.03.03
申请人	NIPPON TELEGRAPH TELEPHONE PUBLI	发明人
分类号	H01L27/00;H01L21/02;H01L21/265;H01L21/331;H01L21/762;H01L21/86;H01L27/12;H01L29/06;H01L29/73;H01L29/78;H01L29/786;(IPC1-7):H01L21/84;H01L21/76	主分类号	H01L27/00
代理机构		代理人
主权项
地址