Semiconductor laser.

摘要

Es ist bekannt, Halbleiterlaser, die eine laseraktive Zone (2) und weitere Schichten in Form einer Mesa aufweisen, seitlich mit einer semiisolierenden Schicht (4) zu versehen, um im Betrieb des Halbleiterlasers den Fluß des Stromes auf die Mesa einzugrenzen. Erfindungsgemäß sind oberhalb oder unterhalb der semiisolierenden Schicht mindestens eine n- (6) und eine p-leitende Schicht (5) vorhanden.