| 主权项 |
1.一种有机垂直腔雷射光产生装置,包括: a)一底部介电质叠层,于预定波长范围下反射光线; b)一有机活性区,用以产生雷射光,且具有包括发光 材料之有机活性区; c)一顶部介电质叠层,与该底部介电质叠层间隔,且 于预定波长范围下反射光线; d)其中激发-光束光系经由至少一介电质叠层传送 且导入该有机活性区内;且 e)该有机活性区系包括一或多个周期性增益区及 有机间隔剂层,该层系配置于该周期性增益区之任 一侧面上,且排列成该周期性增益区与装置驻波电 磁场之波腹配向,且其中该间隔剂层对雷射光系实 质透明。 2.如申请专利范围第1项之装置,其中该发光材料系 包括一主体材料或一主体材料与一掺杂剂。 3.如申请专利范围第2项之装置,其中该主体材料或 主体材料与掺杂剂于该装置雷射发光波长下之吸 光性小。 4.如申请专利范围第2项之装置,其中该主体材料之 吸光性系明显地与该激发-光束光之发光光谱重叠 。 5.如申请专利范围第2项之装置,其中该主体材料之 发光系明显与该掺杂剂材料之吸光性重叠。 6.如申请专利范围第1项之装置,其中该间隔剂层于 激发-光束光之发光处或以上具有不明显之吸光。 7.如申请专利范围第1项之装置,其中该间隔剂层系 包含经取代或未经取代之1,2,3,4-四芳基、单-、1 ,3-二-、1,3,5-三-、及1,3,5,7-四芳基金刚烷、四芳基 甲烷及三蝶烯或其组合物。 8.如申请专利范围第1项之装置,其中该间隔剂层系 包含经取代或未经取代1,2,3,4-四苯基、1,3,5-三(3 ,5-二甲基苯基)金刚烷、1,3,5,7-四(4-联苯基)金刚烷 、1,1-双-(4-双(4-甲基苯基)-胺基-苯基)环己烷、四( 4-联苯基)甲烷、或2-第三丁基-9,10-邻苯-9,10-二氢 或其组合物。 9.如申请专利范围第2项之装置,其中该主体材料系 包含萤光芳族化合物。 10.如申请专利范围第2项之装置,其中该主体材料 系包括经取代或未经取代之丁省、呫吨、二嵌 苯、红萤烯、香豆素、若丹明(rhodamine)、啶 酮、二氰基亚甲基喃、硫代喃、聚甲炔、氧 杂苯、硫杂苯、啶、萤、喃、、 吩、苯并呫吨、芘、靴二、联三苯、联四苯 、联五苯、联六苯、嵌、双、N,N,N',N'-经四 取代之联苯胺、N,N,N',N'-四芳基联苯胺或羟基苯乙 烯基化合物或其组合物。 图式简单说明: 图1出示本发明光学激发以有机为主之垂直腔雷射 的侧视图; 图2系为本发明光学激发以有机为主之垂直腔雷射 的侧视图,出示该活性区内之增益区配置;且 图3-46系为可使用于本发明之各种主体及掺杂剂材 料的吸收发射光谱的图。 |
