| 发明名称 |
IMPLANTATION MASK FOR HIGH ENERGY ION IMPLANTATION |
| 摘要 |
Die Erfindung betrifft eine wiederverwendbare Implantationsmaske (5) aus vorzugsweise Silizium mit speziell strukturierten Gräben und Löchern (2 bzw. 3), die direkt oder im Abstand von einem Devicewafer (7) vorgesehen wird, sowie ein Verfahren zum Justieren einer Weiterbehandlungsebene auf einer Implantationsebene bei einem mit einer solchen Implantationsmaske behandelten Halbleiterwafer (7).
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| 申请公布号 |
WO0161735(A3) |
申请公布日期 |
2002.07.18 |
| 申请号 |
WO2001DE00596 |
申请日期 |
2001.02.15 |
| 申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG;LEHMANN, VOLKER;RUEB, MICHAEL;TIHANYI, JENOE |
发明人 |
LEHMANN, VOLKER;RUEB, MICHAEL;TIHANYI, JENOE |
| 分类号 |
H01L21/266;H01L29/06;(IPC1-7):H01L21/266;H01L23/544 |
主分类号 |
H01L21/266 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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