| 摘要 |
本发明揭示一种制造一半导体装置之方法。此方法中，提供一半导体装置，其包含一基板(10)，该基板(10)采用具有一表面(25)之一低k先驱物层(20)加以覆盖。此步骤后，执行一部分固化步骤，其中在一低k先驱物层(20)之表面(25)处或其附近形成一密集层(30)。此密集层(30)可作为一保护层(30)。该低k先驱物材料(20)系选由具有可在一非固化或部分固化状态下应用之特性的一组材料。此方法之主要优点系不需要对该低k先驱物层(20)提供分离保护层(30)，因为该密集层(30)系由该低k先驱物层(20)本身形成。因此该密集层(30)具有与该低k先驱物层(20)之一良好黏着。 |
