快闪存储器结构及其制备方法

摘要

本发明的快闪存储器结构包含一具有一V型凹槽的基板、一设置于该基板中的第一掺杂区、二个设置于该V型凹槽两侧的基板中的第二掺杂区、一设置于该基板表面的介电堆叠结构以及一设置于该V型凹槽上方的介电堆叠结构表面的导电层，其中介电堆叠结构具有多个捕捉位置夹置于其中。该V型凹槽的制备方法包含形成一屏蔽层于该基板表面、形成一开口于该屏蔽层中、蚀刻该开口下方的基板以形成该V型凹槽以及去除该屏蔽层。优选地该基板可为硅基板，该V型凹槽具有一斜面位于该硅基板的(111)结晶面，且该硅基板的(100)结晶面朝向下方。

主权项

1.一种快闪存储器结构，包括：一半导体基板，具有一V型凹槽；一第一掺杂区，至少设置该V型凹槽下方的半导体基板中；二个第二掺杂区，设置于该V型凹槽两侧的半导体基板中；一介电堆叠结构，其具有多个捕捉位置，并至少设置于该半导体基板的V型凹槽表面；以及一导电层，设置于该V型凹槽上方的介电堆叠结构表面。