非挥发性记忆体元件及其制造方法

摘要

一种非挥发性记忆体元件，包含：下电极12、设置在下电极12上的上电极17及包含相变材料且连接在下电极12与上电极17之间的记录层18。根据本发明，上电极17与记录层18的生长起始表面18a接触。此结构可以通过在记录层18之前形成上电极17来实现而获得三维结构。此减小了向位线的热扩散而不增加记录层18的厚度。