| 摘要 |
本发明提供一种制造半导体互连的方法,其可形成作为障壁层之富含Ti层,且即便沟槽之最小宽度狭窄、深度又深,其可将作为互连材料的纯铜(Cu)材料埋入至绝缘膜中所设之沟槽的各个角落。此方法可包括以下步骤:于半导体基板上的绝缘膜中形成一或多个沟槽,凹入部之最小宽度为0.15m或以下,且沟槽之深度对其最小宽度的比値(深度/最小宽度)为1或以上;于绝缘膜的沟槽中,沿着沟槽的形状,形成厚度为10至50 nm之含有0.5至10原子%钛(Ti)的Cu合金薄膜;于附着有Cu合金薄膜之沟槽中形成纯Cu薄膜;以及于350℃或以上,退火处理具有该等膜之该基板,以使Ti沉淀于绝缘膜及Cu合金薄膜之间。 |
