| 摘要 |
본 발명개시의 실시예들은 반도체 디바이스 구조물 및 이의 형성 방법을 제공한다. 반도체 디바이스 구조물은 기판 위의 금속 게이트를 포함한다. 제 1 스페이서가 금속 게이트의 측벽들 위에 형성되고 제 1 높이를 갖는다. 제 2 스페이서가 금속 게이트의 측벽들 위에 형성되고 제 2 높이를 갖는다. 제 1 높이는 제 2 높이보다 높다. 제 1 스페이서는 제 2 스페이서보다 금속 게이트의 측벽들에서 더 멀리 있다. 게다가, 반도체 디바이스 구조물은 제 1 스페이서 및 금속 게이트를 둘러싸도록 기판 위에 형성된 유전체층을 포함한다. |
