| 发明名称 | 透明导电性膜 | ||
| 摘要 | 提供结晶性优良，比电阻小的透明导电性膜。本发明的透明导电性膜（1），包含：膜基材（2）、和在该膜基材上形成的铟锡氧化物的多晶层（3）。多晶层（3），在厚度方向具有氧化锡的浓度梯度，多晶层（3）的厚度方向的氧化锡浓度的最大值为6重量%～12重量%。此外，多晶层（3）的总厚度为10nm～35nm，构成多晶层（3）的晶粒的最大尺寸的平均值为380nm～730nm。 | ||
| 申请公布号 | CN103839607B | 申请公布日期 | 2016.06.22 |
| 申请号 | CN201310597960.6 | 申请日期 | 2013.11.22 |
| 申请人 | 日东电工株式会社 | 发明人 | 竹安智宏;山本祐辅;金谷实;佐佐和明 |
| 分类号 | H01B5/14(2006.01)I;H01B1/08(2006.01)I;G06F3/044(2006.01)N | 主分类号 | H01B5/14(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人 | 刘新宇;李茂家 |
| 主权项 | 一种透明导电性膜，具有膜基材、和在该膜基材上形成的铟锡氧化物的多晶层，其特征在于，所述多晶层，在厚度方向具有氧化锡的浓度梯度，所述多晶层的厚度方向的氧化锡浓度的最大值为6重量%～12重量%，所述多晶层的厚度为10nm～35nm，构成所述多晶层的晶粒的最大尺寸的平均值为380nm～730nm。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||