半导体接合保护用玻璃复合物、半导体装置的制造方法以及半导体装置

摘要

一种半导体接合保护用玻璃复合物，至少含有SiO₂，B₂O₃，Al₂O₃，ZnO，以及含有CaO、MgO和BaO中至少两种碱土金属氧化物，且实质上不含有Pb，As，Sb，Li，Na，K，并且在50℃～550℃的温度范围中的平均线膨胀系数在3.33×10^-6～4.13×10^-6的范围内。根据本发明中的半导体接合保护用玻璃复合物，使用不含铅的玻璃材料也可以制造出与以往使用以硅酸铅为主要成分的玻璃材料时同样高耐压的半导体装置。

主权项

一种半导体接合保护用玻璃复合物，用于形成一种玻璃层，该玻璃层形成为覆盖具有pn结露出的pn结露出部的硅制半导体元件中的所述pn结露出部，其特征在于：所述半导体接合保护用玻璃复合物由一种玻璃微粒构成，该玻璃微粒是通过将一种玻璃原料熔融而获得的熔液制作而成，所述玻璃原料至少含有SiO₂，B₂O₃，Al₂O₃，ZnO，以及含有CaO、MgO和BaO的碱土金属的氧化物，且不含有Pb，As，Sb，Li，Na，K，其中，SiO₂的含量在49.5mol％～64.3mol％的范围内，B₂O₃的含量在8.4mol％～17.9mol％的范围内，Al₂O₃的含量在3.7mol％～14.8mol％的范围内，ZnO的含量在3.9mol％～14.2mol％的范围内，碱土金属的氧化物的含量在7.4mol％～12.9mol％的范围内，CaO的含量在2.0mol％～5.3mol％的范围内，MgO的含量在1.0mol％～2.3mol％的范围内，BaO的含量在2.6mol％～5.3mol％的范围内，所述半导体接合保护用玻璃复合物在50℃～550℃的温度范围中的平均线膨胀系数在3.33×10^‑6～4.13×10^‑6的范围内。