积体电路天线效应消除方法

摘要

本发明系关于一种积体电路天线效应消除方法，主要针对积体电路上大面积接线区因后续制程产生『天线效应』（ANTENNA EFFECT），致使内部回路薄闸氧化层破坏及故障之缺陷下，即提供一种可将接线区与内部回路之塔接导体先予以断开，而使接线区之不当聚集之电荷无法进入，以免除造成内部回路受损，而于后续做覆盖第二层或第三层导体时以形成一跨接导体，始令回路接通恢复正常连接，构成一种可消除制程中天线效应问题，且可透过接线区之多层金属制程达到降低天线效应者。

主权项

1﹒一种积体电路大线效应消除方法,包括:一在连接接线区之复晶矽导线与内部主动元件间蚀刻一窗口之步骤;一溅镀第一层金属并经窗口连接至复晶矽连线及主动元件间之步骤;一令第一层金属适当位置蚀刻形成一缺口之步骤;一沈积绝缘层在第一层金属上之步骤一相应于第一层金属上方蚀刻形成窗口之步骤;一在第一层金属窗口间溅镀第二层金属而可藉以使第一层金属两侧接通之步骤主动元件连接,再由另一层金属接通之方法步骤,以免除接线区电荷聚集影响内部主动元伯者。2﹒如申请专利范围第1项所述之积体电路天线效应消除方法,其中相应于接线区之制法包括;一覆盖护层之步骤;藉上述先行以切断第一层金属与内部一溅镀一宽度甚小于整个接线区之第一层金属的步骤;一在该第一层金属一侧蚀刻形成窗口之步骤;一溅镀表面积等于接线区域之第二层金属,而可透过窗口连接第一层金属之步骤;一于第二层金属周边覆盖护层之步骤藉第一层金属之小面积以降低于线效应者。3﹒一种积体电路天线效应消除方法,包括:一在连接接线区之复晶矽导线与内部主动元件间蚀刻一窗口之步骤;一溅镀第一层金属并经窗口连接至复晶矽导线及主动元件间之步骤;一令第一层金属适当位置蚀刻形成一缺口之步骤;一沈积绝缘层在第一层金属上之步骤口之步骤一在第一层金属窗口间溅镀第二层金属之步骤;一令第二层金属适当位置蚀刻形成一缺口之步骤:一在第二层金属窗口间溅镀第三层金属而可藉以使第一、二层金属两侧接通之步骤;一覆盖护层之步骤;藉上述光行以切断第一、二层金属与内部主动元件连接,再由最外层金属接通之方法步骤,以免除接线区电荷聚集影响内部主动元件者。4﹒如申请专利范围第3项所述之积体电路天线效应消除方法,其中相应于接线区之制法包括:一溅镀一宽度甚小于整个接线区之第一层金属的步骤;一在该第一层金属一侧蚀刻形成窗口之步骤;一溅镀一亦为宽度甚小于整个接线区之第二层金属而可透过窗口连接第一层金属之步骤;一在该第二层金属一侧蚀刻形成窗口之步骤;一溅镀表面积等于整个接线区域之第三层金属,而可透过窗口连接第一、二层金属之步骤;一于第三层金属周边覆盖护层之步骤藉第一、二层金属之小面积以降低天线效应者。5﹒如申请专利范围第3或4项所述之积体电路天线效应消除方法,其更可运用于更多层金层之制法者。图示简单说明:第一图:系传统积体电路接线区与内部回路间之配置俯视图。第二图:系本发明制程示意图。第三图:系本发明透过缩小接线区面积之实施例图。第四图:系本发明之多层导体之实施例图。