| 主权项 |
1.一种接触式影像感测模组,包括有: 感测基板,其包括一印刷电路板以及设置在印刷电 路板上之影像感测阵列,该影像感测阵列包括沿印 刷电路板之一定方向连续排列之复数片光电感测 晶片,所述复数片光电感测晶片包括长度不同之至 少一长光电感测晶片及至少一短光电感测晶片; 光源,其发出的光线照射至待扫描物上,再由待扫 描物反射或透射;以及 光学组件,将来自于待扫描物上的光线滙聚至感测 基板。 2.如申请专利范围第1项所述之接触式影像感测模 组,其中长光电感测晶片位于感测基板之纵向末端 。 3.如申请专利范围第1项所述之接触式影像感测模 组,其中影像感测阵列包括一片长光电感测晶片及 复数片短光电感测晶片,长光电感测晶片与短光电 感测晶片系排列成一行,长光电感测晶片位于该行 晶片中之起始端或最末端。 4.如申请专利范围第2或3项所述之接触式影像感测 模组,其中光源系由一组发光二极体及一导光板构 成之彩色光源,影像感测阵列系一黑白感测阵列。 5.如申请专利范围第2或3项所述之接触式影像感测 模组,其中光源系由一组发光二极体及一导光板构 成之白色光源,影像感测阵列系一彩色影像感测阵 列。 6.如申请专利范围第2或3项所述之接触式影像感测 模组,其中光源系由一冷阴极管(Cold Cathode Flourcent Lamp)构成之白色光源,影像感测阵列系一彩色影像 感测阵列。 7.如申请专利范围第1、2或3项所述之接触式影像 感测模组,其中长光电感测晶片的长度至少要满足 扫描底片所需的感测长度。 8.如申请专利范围第7项所述之接触式影像感测模 组,其中长光电感测晶片的长度不小于27公厘。 9.如申请专利范围第7项所述之接触式影像感测模 组,其中长光电感测晶片及短光电感测晶片系由同 一片晶圆切割而成。 10.如申请专利范围第1项所述之接触式影像感测模 组,其中感测基板还包括时脉控制积体电路,用于 对长光电感测晶片及短光电感测晶片分别提供不 同的控制讯号。 11.一种结合底片扫描与反射式文件扫描功能之影 像感测模组,包括有: 光源,其所发出的光线可照射至底片或反射式文件 上; 影像感测阵列,其包括至少一长光电感测晶片及一 短光电感测晶片,该影像感测阵列的长度至少达到 反射式文件所需之感测长度,该长光电感测晶片的 长度至少达到底片所需之感测长度;以及 透镜,将光源发出的经底片或反射式文件反射或透 射之光线滙聚在影像感测阵列上。 12.如申请专利范围第11项所述之影像感测模组,其 中长光电感测晶片的长度不小于27公厘。 13.如申请专利范围第12项所述之影像感测模组,其 中影像感测阵列包括一片长光电感测晶片及复数 片短光电感测晶片。 14.如申请专利范围第13项所述之影像感测模组,其 中长光电感测晶片及所有短光电感测晶片依次连 续排列成一行,长光电感测晶片位于该行的起始端 或最末端。 15.如申请专利范围第14项所述之影像感测模组,其 中长光电感测晶片与短光电感测晶片系由同一片 晶圆切割而成。 16.如申请专利范围第13或15项所述之影像感测模组 ,其中感测基板还包括控制电路,用于对长光电感 测晶片及短光电感测晶片提供不同的控制讯号。 17.一种感测基板,包括有: 一纵长之印刷电路板; 复数片安装于印刷电路板上之短光电感测晶片,该 等短光电感测晶片长度相同,并沿印刷电路板之纵 向排列成一行; 一安装于印刷电路板上之长光电感测晶片,其长度 大于任一短光电感测晶片,该长光电感测晶片与所 有短光电感测晶片排列于同一行,并位于该行之起 始端或最末端;以及 印刷电路板上之控制电路,用于对长光电感测晶片 及短光电感测晶片分别提供不同的控制讯号,以分 别驱动长、短光电感测晶片工作。 18.如申请专利范围第17项所述之感测基板,其中长 光电感测晶片与短光电感测晶片系由同一片晶圆 切割而成。 图式简单说明: 第一图系习知的接触式影像感测模组的组成示意 图。 第二图系习知的光电感测晶片于晶圆上的排列方 式示意图。 第三图系本发明接触式影像感测模组的组成示意 图。 第四图系本发明感测基板的第一实施方式的结构 示意图,主要揭示光电感测晶片在感测基板上的一 种排列方式。 第五图系本发明感测基板的第二实施方式的结构 示意图,主要揭示光电感测晶片在感测基板上的另 一种排列方式。 第六图系一示意图,主要揭示本发明接触式影像感 测模组中长晶片与底片的对应关系,以及影像感测 阵列与反射式文件的对应关系。 第七图系本发明光电感测晶片于晶圆上的一种排 列方式之示意图。 第八图系本发明光电感测晶片于晶圆上的另一种 排列方式之示意图。 |
