| 主权项 |
1﹒一种电容脉冲充电式包络线控制电路,其包括:一电荷流通量控制装置,其反应一脉冲讯号,而显现一特定电阻値:一电容,其一端可按于一电压源,另一端电联接于该电荷流通量控制装置,俾根据该特定电阻値,以改变其充放电包络线:一类比开关,其第一端电联接于该电容之一端,第二端接收一频率信号;以及一金氧半场效电晶体(MOS),电联接于该类比开关之第三端,俾维持该类比开关之输出于一定准位。2﹒如申请专利范围第1项所述之电容脉冲充电式包络线控制电路,其中该电荷流通量控制装置系一电晶体。3﹒如申请专利范围第2项所述之电容脉冲充电式包络线控制电路,该电晶体系一p通道金氧半场效电晶体(PMOS)。4﹒如申请专利范围第2项所述之电容脉冲充电式包络线控制电路,该电晶体系一n通道金氧半场效电晶体(NMOS)。5﹒如申请专利范围第2项所述之电容脉冲充电式包络线控制电路,该电晶体系一p通道金氧半场效电晶体(PMOS)及一n通道金氧半场效电晶体(NMOS)。6﹒如申请专利范围第1项所述之电容脉冲充电式回络线控制电路,其中该类比开关一互补式金氧半场效电晶体(CMOS)传输闸。7﹒如申请专利范围第6项所述之电容脉冲充电式包络线控制电路,该互补式金氧半场效电晶体(CMOS)传输闸,包括一p通道金氧半场效电晶体(PMOS)一n通道金氧半场效电晶体(NMOS)及一反闸(NOTGATE)。8﹒如申请专利范围第1项所述之电容脉冲充电式包络线控制电路,该金氧半场效电晶体(MOS)系一p通道金氧半场效电晶体(PNOS)。9﹒如申请专利范围第1项所述之电容脉冲充充电式包络线控制电路,该金氧半场效电晶体(MOS)系一n通道金氧半场效电晶体(NMOS)。10﹒如申请专利范围第1项所述之电容脉冲充充电式包络线控制电路,其中该脉冲讯号系一连串可改变工作周期之脉冲讯号。图示简单说明:第一图:系习知之络线控制电路一之示意图; |
