发明名称 以挥发性溶剂清洁之方法和装置
摘要 本发明提供一种清洁方法,使用溶剂来清洁一物体,该溶剂所具有之沸点是使该溶剂在室温和一个大气压力时为一气体。该方法所包括之步骤有:将物体配置在一个容室之内;将溶剂导入该容室之内使该溶剂接触该物体;对该容室加压使溶剂变成液体状态和移去该物体之污染物;净化该容室用来移去该溶剂,和从该容室中移去被处理后之物体。该系统容许使用沸低于室温之液体,例如某些C1-C4卤碳化物,该等液体在先前未曾被使用作清洁溶剂。
申请公布号 TW216405 申请公布日期 1993.11.21
申请号 TW082101343 申请日期 1993.02.25
申请人 巴克斯特国际公司 发明人 大卫C.H.葛蓝特
分类号 B08B7/00 主分类号 B08B7/00
代理机构 代理人 林镒珠 台北巿长安东路二段一一二号九楼
主权项 1﹒一种清洁方法,使用溶剂来清洁一物体,该溶剂所具有之沸点是在一大气压下时是小于38℃,该方法包括之步骤有:(A):将物体配置在一个容室之内,并将该容室密封;(B)将溶剂导入该容室中使该溶剂接触该物体;(C)对该密封的容室加压仗溶剂变成液体状态及移去该物体之污染物;(D))消除该容室以移去该溶剂;及(E)从该容室中移去被处理过之物体。2﹒如申请专利范围第1项之清洁方法,其中之步骤(B)和步骤(C)更包含有一步骤将气体状态之溶剂导入该容室,然后对该容至加压用来凝结该溶剂和用以清洁该物体。3﹒如申请专利范围第1项之清洁方法,其中该溶剂包含有低卤碳化物所以有之沸点在─130℃至21℃之范围。4﹒如申请专利范围第1项之清洁方法,其中其卤碳化物是C1─C4氟碳化物或氯氟碳化物。5﹒如申请专利范围第1项之清洁方法,其中该卤碳化物主要是由CHCIF来构成。6﹒如申请专利范围第1项之清洁方法,其中该溶剂主要的包含有C1─C4氟碳化物,氢氟碳化物或氯氟碳化物和选自一个群组之共溶剂之混合物,该群组包含有酒精,醚,醛,酮,羧酸,酯和其组合物。7﹒如申请专利范围第3项之清洁方法,其中该溶剂主畏的包含有C1─C4氟碳化物,氢氟碳化物成氯氟碳化物和选自一个群组之共溶剂之混合物,该群组包含有甲醇,乙烯醇,丙醇,异丙醇,丁酮,乙二醇,甘油,二乙酯醚,二甲基醚,甲醛,二甲基酮,二乙酯酮,丁酮,成型酸,醋酸,硬脂酸,油酸和其可相容之组合物。8﹒如申请专利范围第6项之清洁方法,其中C1─C4氟碳化物,氢氟碳化物或氯氟碳化物对其溶剂之垂量比例之范围在大约200:1至10:1。9﹒如申请专利范围第6项之清洁方法,其中该溶剂混合物是非共沸混合物。10﹒如申请专利范围第1项之清洁方法,其中该溶剂主要的包含有CHCIF2和二甲基醚。11﹒如申请专利范围第1项之清洁方法,其中之步骤(B)和(C)更包含有一步骤用来将所供给之溶剂储存在一个加压之槽,和以液体将态将溶剂从该加压槽抽取使其进入该室。12﹒如申请专利范围第3项之清洁方法,其中该卤碳化物包含有一种或多种没有氯原子之氟碳化物。13如申请专利范围第1项之清洁方法,其中之步骤(C)更包含有一个步骤用来将该室维持在0℃至150℃之范围之温度和大约1﹒01至34atm之范围之压力,所维持之时间之期间足以用来清洁该物体。15﹒如申请专利范围第1项之清洁方法,其中该溶剂在一个大气压力时所具有沸点低于20﹒5℃。16﹒一种清洁装置使用挥发性溶剂来清洁一─物体,该溶剂所具有之沸点是使该溶剂在室温和一个大气压力下为一气体,该装置包含有:一个压力容室,用来接收物体;一个加压系统,能够用来将该容室维持在较高之压力使该溶剂成为液体状态;一个清洁系统,用来使液体溶剂接触在该压力容室内之物体;和一个净化系统,在移去物体之前,先移去该室中之净化用之液体溶剂。17﹒如申请专利范围第16项之清洁方法,其中该净化系统包括有一个泵用来清除该压力容室。18﹒如申请专利范围第16项之清洁方法,更包合有一个循环系统用来接收来自该压力容室之溶剂和加以净化藉以在压力容室内再使用。19﹒如申请专利范围第18项之清洁方法,其中该循环系统更包含有:一个分开器,被连接到该压力容室,用来分开从压力容室排出之溶剂之气体成分和液体成分。一个挡板,用来剥除气体成分之挥发性溶剂成分和仗其凝结成液体溶剂;一个转回系统,用来使液体溶剂从分开器和挡板转回到该压力容室。图示简单说明图1概略的表示一个系统,该系统适于用来执行依照本发明之清洁处理;和图2是特别适合于使用低沸点溶剂之依照本发明之清洁系统之另一具体例之概略图。
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