发明名称 晶片电容器及其制造方法
摘要 本发明涉及一种晶片电容器,其包含:至少二个电容本体(1,2),各电容本体分别设有一阳极接触区(21,22),其由电容本体(1,2)中伸出;另有一阴极接触区(3)。各电容本体(1,2)上下叠置着且至少一电容本体(1,2)之宽侧配置在阴极接触区(3)上。本发明另涉及该电容器之制造方法。
申请公布号 TWI223293 申请公布日期 2004.11.01
申请号 TW092112421 申请日期 2003.05.07
申请人 艾普可斯股份有限公司 发明人 修斯曼汉斯;纽勒斯鲁伊
分类号 H01G4/38 主分类号 H01G4/38
代理机构 代理人 何金涂 台北市大安区敦化南路二段七十七号八楼;李明宜 台北市大安区敦化南路二段七十七号八楼
主权项 1.一种晶片电容器,其包含:-至少二个电容本体(1,2),-各电容本体分别设有一阳极接触区(21,22),其由电容本体(1,2)中伸出-一种阴极接触区(3),其特征为:各电容本体(1,2)上下叠置着且至少一电容本体(1,2)之宽侧配置在阴极接触区(3)上。2.如申请专利范围第1项之晶片电容器,其中该电容本体(1)藉由导电黏合剂而与阴极接触区(3)相连。3.如申请专利范围第1或2项之晶片电容器,其中电容本体(2)藉由导电黏合剂而与另一电容本体(1)相连。4.如申请专利范围第1项之晶片电容器,其中该阳极接触区(21,22)配置在阳极终端(5)之凹口(41,42)中。5.如申请专利范围第4项之晶片电容器,其中各凹口(41,42)朝向各别之电容本体(21,22)之与阴极接触区(3)相面对之此侧而敞开着。6.如申请专利范围第4或5项之晶片电容器,其中各凹口(41,42)以V形之方式由片(6)之一区段(7)中切割而出,该区段(7)垂直地由片(6)之平面弯曲而出,该片(6)平行于阴极接触区(3)而延伸。7.如申请专利范围第1,2或5项之晶片电容器,其中电容本体(1,2)固定在阴极接触区(3)之不同侧上。8.如申请专利范围第1,2或5项之晶片电容器,其中电容本体(1,2)固定在阴极接触区(3)之相同侧上。9.如申请专利范围第1或4项之晶片电容器,其中阳极接触区(21,22)在侧面上互相偏移而配置着。10.如申请专利范围第9项之晶片电容器,其中阳极接触区(21,22)藉由雷射焊接而固定在各凹口(41,42)中。11.一种晶片电容器之制造方法,其特征为以下各步骤:a)制备一系统载体(10),其具有成列之阴极接触区(3,31,32),各阳极终端(5,51,52)分别对应于各阴极接触区(3,31,32),该系统载体(10)另有多个电容器载体(11),其上藉由各由每一电容本体(1,101,102)伸出之阳极接触区(21,25,26)而以梳形方式分别固定着多个电容本体(1,101,102),b)上下叠置着系统载体(10)及第一电容器载体(11)且将电容本体(1,101,102)固定在阴极接触区(3,31,32)上及使阳极接触区(21,25,26)固定在阳极终端(5,51,52)上,c)上下叠置着系统载体(10)及另一电容器载体(11)且将电容本体(1,101,102)固定在一由电容本体(1,101,102)和阴极接触区(3,31,32)所成之集合体上及使阳极接触区(21,25,26)固定在阳极终端(5,51,52)上。12.如申请专利范围第11项之制造方法,其中使第一和另一电容器载体(11)之电容本体(1,101,102)固定至阴极接触区(3,31,32)之二侧。13.如申请专利范围第11项之制造方法,其中使另一电容器载体(11)之电容本体(1,101,102)固定至第一电容器载体(11)之电容本体(1,101,102)。14.如申请专利范围第11至13项中任一项之制造方法,其中使电容本体(1,101,102)藉由导电黏合剂而固定至阴极接触区(3,31,32)。15.如申请专利范围第11至13项中任一项之制造方法,其中使阳极接触区(21,25,26)藉由雷射焊接而固定至阳极终端(5,51,52)且同时使阳极接触区(21,25,26)由电容器载体(11)分开。图式简单说明:第1图制程期间该晶片电容器之已透视之侧视图。第2图本发明另一晶片电容器之已透视之侧视图。第3图本发明另一晶片电容器之已透视之侧视图。第4图一系统载体之一部份,其可用来制成本发明之晶片电容器或用在本发明之方法中。第5图本发明之晶片电容器之制造方法。第6图一种未配备之系统载体之俯视图,其适合于本制造方法中。第7图系第6图中一处于未配备状态中之系统载体。
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