横向结型场效应晶体管

摘要

一种SiC制的横向JFET，它使用n型SiC衬底，包括具有迁移率高的载流子的沟道区，成品率高。该横向JFET包括：n型SiC衬底(1n)；p型SiC膜(2)，被形成在n型SiC衬底的正面上；n型SiC膜(3)，被形成在p型SiC膜上，包含沟道区(11)；源区、漏区(22，23)，被分别形成在该n型SiC膜上的、沟道区的两侧；以及栅极(14)，与n型SiC衬底相接来设置。

主权项

1、一种横向结型场效应晶体管，包括：SiC衬底(1)，具有栅极(14)；第一SiC膜(2)，被形成在上述SiC衬底上；以及第一导电型的第二SiC膜(3)，被形成在上述第一SiC膜上，包含厚度变薄的沟道区(11)及从两侧接着该沟道区的源区、漏区；上述第一SiC膜(2)由高浓度杂质区(2a)、和该高浓度杂质区以外的具有高电阻的高电阻区(2b，2c，20b，20c，21b，21c)构成，该高浓度杂质区(2a)被设置在上述沟道区(11)下的部分上，宽度与该沟道区相同，具有比该沟道区短的长度，含有浓度值高于上述沟道区的第一导电型杂质的第二导电型杂质。