具有用于施加平面内剪切应力的介质应力产生区的晶体管及其制造方法

摘要

本发明提供了一种芯片，包括：有源半导体区和场效应晶体管(“FET”)，所述场效应晶体管(“FET”)具有全部置于所述有源半导体区内的沟道区、源极区和漏极区。所述FET具有在所述沟道区的长度方向上的纵向和所述沟道区的宽度方向上的横向。第一介质应力产生区，具有水平延伸的上表面，在所述有源半导体区的一部分，例如，有源半导体区的西北部分下面延伸。第二介质应力产生区，具有水平延伸的上表面，在所述有源半导体区的第二部分，例如，有源半导体区的东南部分下面延伸。所述第一和第二介质应力产生区的每个都与所述有源半导体区共享一个边缘，所述边缘在远离所述上表面的方向上延伸。

主权项

1.一种芯片，包括：有源半导体区，具有西边缘、东边缘、北边缘和南边缘，所述有源半导体区具有在所述西和东边缘之间的方向上的纵向和在所述北和南边缘之间的方向上的横向；场效应晶体管(“FET”)，具有全部置于所述有源半导体区内的沟道区、源极区和漏极区，所述沟道区的长度置于所述纵向上，而所述沟道区的宽度置于所述横向上；第一介质应力产生区，只在所述北和西边缘之间的所述有源半导体区的西北部分下面，所述第一介质应力产生区具有水平延伸的上表面，所述第一介质应力产生区与所述有源半导体区共享一个边缘，所述边缘在远离所述上表面的方向上延伸；以及第二介质应力产生区，只在所述南和东边缘之间的所述有源半导体区的东南部分下面，所述第二介质应力产生区具有水平延伸的上表面，所述第二介质应力产生区与所述有源半导体区共享一个边缘，所述边缘在远离所述上表面的方向上延伸，其中所述第一介质应力产生区在第一方向上给所述沟道区施加第一应力，而所述第二介质应力产生区在与所述第一方向相反的第二方向上给所述沟道区施加第二应力，以使所述第一和第二应力结合在一起给所述沟道区施加放大的剪切应力。