非挥发性半导体记忆体装置

摘要

本发明的目的在于提供一种具有优异的写入特性及电荷保持特性的非挥发性半导体记忆体装置。另外，本发明还提供一种能够降低写入电压的非挥发性半导体记忆体装置。本发明是一种非挥发性半导体记忆体装置，包括在彼此相离而形成的一对杂质区之间具有通道形成区的半导体层或半导体基板；以及设置在半导体层或半导体基板的上方且与通道形成区重叠的位置上的第一绝缘层、由不同氮化物化合物形成的多个层、第二绝缘层、以及控制闸极电极。