半导体装置和其制造方法

摘要

明的一个目的是提供包括电特性稳定的薄膜电晶体的高可靠的半导体装置。此外，另一目的是以低成本高生产率制造高可靠的半导体装置。在包括薄膜电晶体的半导体装置中，利用添加了金属元素的氧化物半导体层形成薄膜电晶体的半导体层。作为金属元素，使用铁、镍、钴、铜、金、锰、钼、钨、铌以及钽金属元素中的至少一种。此外，该氧化物半导体层包括铟、镓以及锌。

主权项

一种半导体装置，包含：闸极电极层；闸极绝缘层；与该闸极电极层重叠且具有该闸极绝缘层插入于其间的氧化物半导体层；以及与该氧化物半导体层电连接的源极电极层和汲极电极层，其中该氧化物半导体层包含未与该源极电极层和该汲极电极层重叠的区域，其中该区域包含从由铁、铜、锰、钼、钨和钽组成的组中选择的至少一种金属元素，其中该氧化物半导体层具有该金属元素的浓度分布，且其中该金属元素被添加至该源极电极层和该汲极电极层。