| 摘要 |
본 발명은 그래핀의 형성 방법에 관한 것으로서, 이 방법은 적어도 1종의 제1 금속 및 적어도 1종의 제2 금속을 포함하는 적어도 2종의 금속을 탄화규소(SiC)의 표면 상에 증착하는 단계; 및 SiC 및 제1 금속 및 제2 금속을 가열하는 단계로서, 적어도 1종의 제1 금속이 탄화규소의 실리콘과 반응하는 것을 유도하여 탄소 및 적어도 1종의 안정한 실리사이드(silicide)를 형성하고, 적어도 1종의 안정한 실리사이드 및 적어도 1종의 제2 금속에 대한 탄소의 용해도가 충분히 낮아서, 실리사이드 반응에 의해 생성된 탄소가 SiC 상에 그래핀 층을 형성하는 조건에서, SiC 및 제1 금속 및 제2 금속을 가열하는 단계;를 포함한다. |
