| 摘要 |
본 발명의 실시예에 따른 태양 전지는, 반도체 기판; 상기 반도체 기판에 형성되며 상기 반도체 기판과 동일하거나 서로 다른 도전형을 가지는 도전형 영역; 상기 도전형 영역을 덮으면서 상기 반도체 기판 위에 형성되는 패시베이션 막; 및 상기 반도체 기판 및 상기 도전형 영역 중 적어도 하나에 전기적으로 연결되는 전극을 포함한다. 상기 패시베이션 막은, 상기 도전형 영역 위에 형성되며 실리콘 산화물을 포함하는 제1 층; 상기 제1 층 위에 형성되며 음전하를 가지는 산화물을 포함하는 제2 층; 및 상기 제2 층 위에 형성되며 상기 제2 층과 다른 굴절률을 가지는 제3 층을 포함한다. |
