| 摘要 |
연속하는 층들의 품질들이 성공적으로 개선되도록, 반도체 구조체들과 III족-질화물 물질들의 층들을 에피택셜 성장 하는 동안에 적용할 수 있는 방법들이 개시된다. 성장 피트들이 초기 표면에 존재하는 표면 전위들에서 형성되도록, 중간 에피택셜 층은 초기 표면 상에 성장한다. 이어서, 에피택셜 측방향 과성장의 알려진 현상에 따라서, 후속 층이 중간층 상에 형성되고, 이에 따라 후속 층은 측방향으로 연장되고, 적어도 교차되는 성장 피트들의 응집체들을 에워싼다. 바람직하게는, 후속 층의 성장 이전에, 측방향으로 성장하는 물질 내의 전위들의 갯수를 감소시키기 위하여, 유전 물질이 불연속하게 증착되도록, 유전 물질의 불연속 막이 증착된다. 본 발명의 방법들은 동일한 구조체에 대하여 복수의 횟수로 수행될 수 있다. 또한, 반도체 구조체들은 이러한 방법들에 의하여 제조된다. |
