发明名称 反射树脂片、发光二极管装置及其制造方法
摘要 本发明提供反射树脂片、发光二极管装置及其制造方法。反射树脂片是用于将反射树脂层设在发光二极管元件的侧方的反射树脂片,其包括第1离型基材及设在第1离型基材的厚度方向一侧的表面上的反射树脂层。在第1离型基材及反射树脂层中,贯穿厚度方向的贯穿孔以能够使反射树脂层中的贯穿孔的内周面与发光二极管元件的侧表面相对配置的方式与发光二极管元件相对应地形成。
申请公布号 CN102738363B 申请公布日期 2016.07.06
申请号 CN201210111081.3 申请日期 2012.04.13
申请人 日东电工株式会社 发明人 大薮恭也;伊藤久贵;内藤俊树
分类号 H01L33/48(2010.01)I;H01L33/60(2010.01)I;H01L33/56(2010.01)I 主分类号 H01L33/48(2010.01)I
代理机构 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人 刘新宇;张会华
主权项 一种反射树脂片,该反射树脂片用于将反射树脂层设在发光二极管元件的侧方,其特征在于,该反射树脂片包括:第1离型基材;上述反射树脂层,其设在上述第1离型基材的厚度方向一侧的表面上;在上述第1离型基材及上述反射树脂层中,贯穿上述厚度方向的贯穿孔以能够使上述反射树脂层中的上述贯穿孔的内周面与上述发光二极管元件的侧表面相对配置的方式且以与用于配置上述发光二极管元件的区域实质相同的形状与上述发光二极管元件相对应地形成。
地址 日本大阪府