一种元器件抗总剂量生存能力预估方法

摘要

本发明公开了一种元器件抗总剂量生存能力预估方法，包括：MOS器件抗总剂量生存概率与空间环境指标要求、总剂量余量之间的关系在对数正态分布下的情况，批次性器件的抗总剂量生存概率与总剂量效应失效阈值标准差σ有关，控制σ可以在有限的总剂量余量下提高生存概率。本发明只需要控制总剂量效应失效阈值标准差σ即可实现对元器件在空间环境中的抗总剂量生存概率的预估，效率有了很大的提高。

主权项

一种元器件抗总剂量生存能力预估方法，包括：步骤1)、获取一组实测的同批次MOS器件总剂量辐照数据，根据这些总剂量辐照数据，计算出器件总剂量耐量的几何平均数总剂量耐量的对数标准差σ；步骤2)、MOS器件抗总剂量生存概率与空间环境指标要求、总剂量余量之间的关系存在对数正态分布：$F\left(D\right)=\Phi \left(\frac{ln(D/\tilde{D})}{\sigma }\right)$式中，F(D)——累积总剂量失效概率；D——环境总剂量，单位为rad(Si)；——器件总剂量耐量的几何平均值，单位为rad(Si)；σ——总剂量耐量的对数标准差；绘出F(D)～D的关系曲线；步骤3)、由总剂量生存概率P(D)＝1‑F(D)，得到：$P\left(D\right)=\Phi \left(\frac{ln(\tilde{D}/D)}{\sigma }\right)$根据和σ的拟合值，绘出P(D)～D的关系曲线；步骤4)、在步骤3中的公式中，设得到：$P\left(M\right)=\Phi \left(\frac{\ln M}{\sigma }\right)$以器件总剂量耐量的对数标准差σ为变参数，绘出P(M)～M的关系曲线；步骤5)、批次性MOS器件的抗总剂量生存概率与总剂量耐量的对数标准差σ有关，控制σ在有限的总剂量余量下提高生存概率。