发明名称 溅镀装置,溅镀晶片之方法及晶片加工元件
摘要 用于阴极溅镀之一种创新使用寿命加长之准视仪11具有多个通路20,通路自准视仪之靶13侧纵向斜缩至准视仪之晶片14侧。此纵向斜缩作用减少聚焦在准视仪11之靶侧曝覆表面上之溅镀微粒一般所致之盖准视仪使用寿命及晶片沈积率之不利影响。与以往技艺之准视仪相较,准视仪11在必须更换或清理之前,可溅镀较大数量之晶片14,因而增强生产能力。
申请公布号 TW221064 申请公布日期 1994.02.11
申请号 TW081109818 申请日期 1992.12.08
申请人 物质研究公司 发明人 史帝芬.迪.霍威特
分类号 C23C14/34 主分类号 C23C14/34
代理机构 代理人 陈长文 台北巿敦化北路二○一号七楼
主权项 1﹒一种溅镀装置,包括:一可抽真空室;安装于室内之一概镀靶;与靶相对安装于室内之一晶片;安装于靶与晶片间之一堆视仪,准视仪具有多个贯穿通路,每一通路具有在准视仪之靶侧之多个较大面积入口及在准视仪之晶片侧之较小面积出口,通路自较大面积入口至较小面积出口纵向斜缩。2﹒根据申请专利范围第1项之溅镀装置,其中准视仪为整体单件式结构。3﹒根据申请专利范围第2项之溅镀装置,其中准视仪为下列材料之一种制成:铝、钢、不锈钢及钛。4﹒根据申请专利范围第1项之溅镀装置,其中各通路为截锥形,具有圆形横断面及梯形纵断面。5﹒根据申请专利范围第4项之溅镀装置,其中每一通路之入口开口面积与出口开口面积之比为1﹒2:1至2﹒0:1之范围。6﹒根据申请专利范围第1项之溅镀装置,其中准视仪进一步包括:与靶及晶片实际平行之相对准之至少三个平行板,每一板具有多个贯穿孔,及每一斜缩通路由对准之多个贯穿孔界定。7﹒根据申请专利范围第6项之溅镀装置,其中贯穿孔为圆形断面。8﹒根据申请专利范围第7项之溅镀装置,其中每一通路之入口开口面积与出口开口面积之比为1﹒2:1至2﹒0:1之范围。9﹒一种溅镀装置,包括:一可抽真空室;安装于室内之一溅镀靶;与靶相对安装于室内之一晶片;安装于靶与晶片间之一进视仪,准视仪具有容许溅射微粒自靶通过其中至晶片之多个敝式单位室,单位室之纵断面为梯形及具有在准视仪之晶片端之最小有效横断面开口面积。10﹒ 一种溅镀晶片之方法,方法包括下列步骤:将一准视仪配置于一溅镀室内之一靶与一晶片之间,准视仪具有由内壁界定之多个贯穿通路,内壁在准视仪之靶侧之厚度小于在准视仪之晶片侧之厚度,故每一通路依自靶至晶片之纵方向向内斜缩;及自靶溅射微粒至晶片,截面接触准视仪内壁之部份测射微粒,及容许部份溅射微粒通过斜缩通路。11﹒根据申请专利范围第10项之方法,其中之配置步骤进一步包括:将配置于靶与晶片间之实际平行之多个准视仪互相对准,每一板具有制于其上之多个孔,每一斜缩通路由多个相对准孔界定。图示简单说明:图l为配有根据本发明之较佳具体实例之使用寿命加长之准视仪之溅镀室之概略断面图。图lA为溅镀前之准视仪之部份顶部图。~图2为图lA所示准视仪之数单位室在溅镀前之放大概略断面图。图3及4为与图2之相同之放大概略断面图,显示溅镀过程中溅射微粒逐渐聚集在单位室之边壁上。图5为显示以往技艺准视仪在溅镀前之放大概略断面图。图6为显示以往技艺准视仪有溅射微粒聚集后之放大概略断面图。图7为显示根据本发明之替代性具体实施例之使用寿命加长之准视仪之概略断面图。
地址 美国