| 主权项 |
1﹒一种使用于制造半导体装置之处理方法,其特征为具有:在设于气密容器内之载置台载置被处理物的工程;在被处理物与载置台之间的间隙预备迈入少量之传热媒体气体的工程;一面控制上述间隙内之传热媒体气体之压力,一面将传热媒体气体导入于间隙直到其压力达到规定之压力値的工程,以及处理上述被处理物的工程等。2﹒一种使用于制造半导体装置之处理方法,其特征为具有:在设于气密容器内之载置台上载置被处理物的工程;一面将上述间隙于以排气,一面在被处理物与载置台之间的间隙预备导入少量之传热媒体气体的工程;藉由控制来自上述间隙之排气量,一面控制此间隙内之传热媒体气体之压力,一面将传热媒体气体导入于间隙直到其压力达到规定之压力値的工程;以及处理上述被处理物的工程等。3﹒如申请专利范围第1项所述之处理方法,其中,传热媒体气体系由氮、氦及氩等而成之群所选择的气体。4﹒如申请专利范围第1项所述之处理方法,其中,在与上述载置台之上述被处理物之对向面,为等分布负荷曲面者。5﹒如申请专利范围第1项所述处理方法,其中,在与上述载置台之上述被处理物之对向面,形成有合成树脂膜者。6﹒如申请专利范围第1项所述之处理方法,其中,被处理物之周边部按压在上述载臂台成为保持状态者。7﹒如申请专利范围第1项所述之处理方法,其中,为由蚀刻、灰化、离子注入,及磁散等而成之群所选择者。8﹒一种使用于制造半导组装置之处理装置,系具备:构成用以保持被处理物之载置台的第1电极;配设成对向于该第1电极的第2电极;在这些第1及第2电极之间产生电浆,并藉此电凝来处理被处理物的处理机构的处理装置,而其特征为:又具备在上述被处理物与第1电极之间的间隙自动地导入传热媒体气体的导入机构;测定上述间隙内之传热媒体之压力的测定机构;随着上述传热媒体气体之所测定之压力,再自动地导入传热媒体气体使上述传热媒体气体之压力达到所定数値的自动控制机构;并构成在上述第1电极之上面形成有无机绝缘膜,且在此无机绝缘膜之上面形成有弹性绝缘膜者。9﹒如申请专利范围第8项所述之处理装置,其中,无机绝缘膜系氧化上述第1电极之表面所得到之氧化膜者。10﹒如申请专利范围第8项所述之处理装置,其中,第1电极系由铝所构成,而上述无机绝缘膜为氧化铝膜者。11﹒如申请专利范围第8项所述之处理装置,其中,在与上述第1电极之上述被处理物之对向面,为等分布负荷曲面者。12﹒如申请专利范围第8项所述之处理装置,其中,在与上述无机绝缘膜之上述被处理物之对向面,形成有合成树脂膜者。13﹒如申请专利范围第8项所述之处理装置,其中,又具备有将上述被处理物之周边部按压于上述载置台并于以保持之机构者14﹒如申请专利范围第8项所述之处理装置,其中,为由蚀刻装置,灰化装置、离子注入装置、及溅散装置等而成之望所选择者。15﹒一种热传递方法,其特征为:在基板构件上配设被热传递体的工程;在被热传递体与基板构件之间的间隙预备导入少量之传热媒体气体的工程;及一面控制此间隙内之传热媒体气体之压力,一面将传热媒体气体导入于间隙直到其压力达到规定之压力値的工程等。16﹒一种使用于制造半导体装置的处理装置,系具备:构成用以保持被处理物之载置台的第1电极;配设成对向于该第1电极的第2电极;在这些第1及第2电极之间产生电浆,并藉此电浆来处理被处理物的处理机构的处理装置,而其特征为:又具备在上述被处理物与第1电极之间的间隙自动地导入传热媒体气体的导入机构;测定上述间隙内之传热媒体之压力的测定机构;随着上述传热媒体气体之所测定之压力,藉控制传热媒体气体之排气量,再自动地导入上述传热媒体气体使上述传热媒体气体之压力达到所定数値的自动控制机构;并构成在上述第1电极之上面形成有无机绝缘膜,且在此无机绝缘膜之上面形成有弹性绝缘膜者。17﹒如申请专利范围第16项所述之处理装置,其中,无机绝缘膜系氧化上述第1电极之表面所得到之氧化膜者。18﹒如申请专利范围第16项所述之处理装置,其中,第1电极系由铝所构成,而上述无机绝缘膜为氧化铝膜者。19﹒如申请专利范围第16项所述之处理装置,其中,在与上述第1电极之上述被处理物之对向面,为等分布负荷曲面者。20﹒如申请专利范围第16项所述之处理装置,其中,在与上述无机绝缘膜之上述被处理物之对向面,形成有合成树脂膜者。21﹒如申请专利范围第16项所述之处理装置,其中,又具备有将上述被处理物之周边部按压于上述载置台并予以保持之机构者。22﹒如申请专利范围第16项所述之处理装置,其中,为由蚀刻装置、灰化装置、离子注入装置、及溅散装置等而成之群所选择者。图示简单说明:第1图系表示使用于本发明之一实施例之蚀刻方法的蚀刻装置之剖面图。第2图系表示本发明之一实施例之蚀刻方法的流程图。第3图系表示本发明之其他实施例之蚀刻装置之载置台的剖面图。第4图系表示本发明之另一实施例之具有装载机及卸载机部之蚀刻装置的斜视图。第5图系表示第4图所示之蚀刻装置的构成图。第6图系表示第4图所示之蚀刻装置之一部分的电浆蚀刻一灰化装置的说明图第7图系表示具有内壁加热之真空容器之装置的说明图。 |
